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Fundamentals of Semiconductor Devices

Este curso combina la teoría de semiconductores con la aplicación de principios de análisis e ingeniería de diseño para predecir el rendimiento eléctrico de los dispositivos. Los estudiantes aprenderán a analizar y diseñar dispositivos semiconductores. El contenido se impartirá de manera mixta, tanto presencialmente como de forma remota (a través de Blackboard), mediante clases sincrónicas y asincrónicas y otros materiales en línea, además, dicho material se proporcionará en módulos, capítulo por capítulo, y seguirá una rutina semanal.

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Inicio

26/08/2024

Duración

16 semanas

Dedicación

6 horas por semana

Precio

Beca IA.Center

Idioma

Inglés

Modalidad

Vía Teams

Horarios

  • Lunes y Miércoles de 6pm a 7:20pm (Hora Ciudad Juárez)

    Inicia 26/08/2024

Prerequisitos

Conocimientos en calculo diferencial e integral, así electrónica analógica.

Requisitos

Semiconductor Devices: Physics and Technology, 3rd Edition, S. M. Sze and M. K. Lee, Wiley, 2012; Matlab, Octave, or MathCAD.

Perfil de ingreso

Profesionales de diversas ingenierías interesadas en el diseño de dispositivos basados en semiconductores

Perfil de egreso

Después de completar este curso, los estudiantes: • Aprenderán a aplicar bandas de energía, densidad de estados y funciones de distribución para calcular densidades de portadores en semiconductores. • Aprenderán a aplicar teorías de transporte de portadores para calcular la corriente en semiconductores. • Aprenderán a analizar y diseñar el rendimiento eléctrico de dispositivos semiconductores.

Obtén certificados oficiales

  • Desarrollo de talento docente 2024

  • Desarrollo de talento docente 2024

Contenido del curso

Module 1: Energy bands and carrier concentration in thermal equilibrium

• Energy Bands and Carrier Concentrations
• Semiconductor Materials
• Crystal structures"
• Team formation session
• Programming & plotting
• Obervations and conclusions"
• Intrinsic Semiconductors
• Extrinsic Semiconductors

Module 2: Carrier transport

• Carrier Transport
• Carrier drift"
• Carrier diffusion
• Generation and recombination
• Continuity equation

Module 3: p-n Junctions

• p-n junction diode
• Thermal equilibrium and depletion region
• Depletion capacitance vs voltage
• Diffusion current vs voltage
• Gen & Recom Currents
• Diode I-V and C-V Analysis"
• Graded Junctions
• Parameter Measurement
• Hall effect"
• Parameter Measurement 
• Haynes-Shockley, •Four-point probe"

Module 4: Bipolar junction transistors

• Bipolar Junction Transistor
•Transistor action
• Static characteristics of BJTs

Module 5: Field-effect transistors

• MOS Capacitor and MOSFET
• MOS Diode
• Threshold voltage
• SiO2-Si MOS Capacitor
• MOSFET Current-Voltage characterstics